Indium(III) oksida

Indium(III) oksida adalah senyawa kimia bersifat amfoter dengan rumus In2O3.

Indium(III) oksida
Nama
Nama lain
indium trioksida
Penanda
Model 3D (JSmol)
3DMet {{{3DMet}}}
ChemSpider
Nomor EC
Nomor RTECS {{{value}}}
CompTox Dashboard (EPA)
  • InChI=1S/2In.3O/q2*+3;3*-2 Y
    Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N Y
  • InChI=1/2In.3O/q2*+3;3*-2
    Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL
  • [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3]
Sifat
In2O3
Massa molar 277.64 g/mol
Penampilan kristal tidak berbau, hijau kekuningan
Densitas 7.179 g/cm3
Titik lebur 1.910 °C (3.470 °F; 2.180 K)
tidak dapat larut
Celah pita ~3 eV (300 K)
−56.0·10−6 cm3/mol
Struktur
Kubik, kelompok ruang Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16[1]
Bahaya
Klasifikasi UE (DSD) (usang)
 tidak terdaftar
Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada temperatur dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa).
Y verifikasi (apa ini YN ?)
Referensi

Senyawa ini tidak dapat larut dalam air, tetapi dapat larut di dalam asam, sementara kristalinnya tidak dapat larut dalam air dan asam. Terdapat dua bentuk kristal indium(III) oksida, yaitu kristal kubik dan rombohedral.[2][3]

Sintesis

Sampel indium(III) oksida dapat dibuat dengan memanaskan indium(III) hidroksida atau indium nitrat, karbonat atau sulfat.[4]

Reaksi

Jika dipanaskan hingga suhu 700 °C, Indium(III) oksida membentuk In2O (disebut indium(I) oksida atau indium suboksida), sementara pada suhu 2000 °C senyawa ini akan berdekomposisi.[4] Senyawa ini dapat larut dalam asam, tetapi tidak dapat larut di dalam alkali.[4] Jika direaksikan dengan amonia pada suhu yang tinggi, akan terbentuk indium nitrida:[5]

In2O3 + 2 NH3 → 2 InN + 3 H2O

Referensi
  1. Marezio, M. (1966). "Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths". Acta Crystallographica. 20 (6): 723–728. doi:10.1107/S0365110X66001749.
  2. Walsh, A; et al. (2008). "Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy" (PDF). Physical Review Letters. 100 (16): 167402. doi:10.1103/PhysRevLett.100.167402. PMID 18518246. Diarsipkan dari versi asli (PDF) tanggal 2017-12-15. Diakses tanggal 2018-01-30.
  3. King, P. D. C.; Fuchs, F.; et al. (2009). "Band gap, electronic structure, and surface electron accumulation of cubic and rhombohedral In2O3". Physical Review B. 79 (20). doi:10.1103/PhysRevB.79.205211.
  4. Downs, Anthony John (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X.
  5. Wiberg, Egon and Holleman, Arnold Frederick (2001) Inorganic Chemistry, Elsevier ISBN 0123526515
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.